Silikon Wafers eng ko'p chiplarning tashuvchisi. Biroq, kremniy bir parcha ko'plab noma'lum tafsilotlarni yashiradi, masalan: Silikon Wafersning kristall yo'nalishlari nimada? Qancha joylashuvi qirralari bor? Joylashtirish qirralari qanday joylashtirilgan? Joylashtirish qirrasi va provayting o'rtasidagi farq nima? Va hokazo. Buni bugun batafsil bayon qilaylik.
Joylashtirish cheti \/ Groove nima?
Joylashtirish jastkasini (niqob) 8 dyuymdan yuqori (inklyuziv) va joylashtirish uchun (tekis) 8 dyuymdan past (tekis) joylashtirish uchun ishlatiladi.
Silikon Valof shtati qirrasi - bu kremniy vojamosining qisqa tomoni bo'lib, peshtoqni o'rash yarim doira yoki v shaklidagi kesmadir.
Grooves \/ qirralarni joylashayotgani qanday?
CZ usulidan so'ng, ikki uchining kesishishi kerak, shundan so'ng kremniy ustuni - bu sim arkasini olish uchun birma-bir sim sim arafasida yoki kesish mashinasi bilan birma-bir kremniy bilan qoplangan.
Kristal Yo'nalish va doping bilan munosabatlar
Umuman olganda, faqat joylashadigan chetida kristall yo'nalishi va doping turini ko'rsatish funktsiyasiga ega. Silikonning kristall yo'nalishi va doping turi pozitsiyani joylashtirish holatlari va soniga qarab belgilanadi. Groovni joylashtirish kremniy gofrosining pastki qismida bo'ladi va kristalli yo'naltirish va doping turini intuitiv ravishda joylashtirish orqali sezish mumkin emas. Umumiy billur yo'nalishlar<100>, <110>, <111>Va doping turlari n-turi va p-turidir.
Silikon Walferning qirralarini joylashtirish soni bir yoki ikkitasi. Silikonning bir turi faqat bitta p-tipdagi<111>. Agar kremnoni ikki pog'onada qirralarga ega bo'lsa, unda uzoqroq joylashadigan chetida asosiy o'rindiqning asosiy yo'nalishi va qisqaroq - bu ikkinchi darajali joy. Asosiy poslashning asosiy yo'nalishi asosan kremniyni yarimo'tkazgichga muvofiqlashtirish uchun qulay bo'lib, ikkinchi darajali pozitsiyalashning ikkinchi darajali tarbiyasi esa billur yo'naltirish va doping turini ko'rsatadi. Asosiy possovning asosiy qirrasi - bu kremniy go'shti tubida, ikkinchi darajali pozitsiyaning pozitsiyasi qat'iy emas va vojikning kristall yo'nalishi va doping turini o'zgartirish bilan o'zgarmaydi.
Odatda, a 2-} dyuymning asosiy yo'nalishi uzunligi 15,8 mm, A 4-}}}}}}}}}} ning uzunligi, {}}}}}} ning asosiy yo'nalishi uzunligi 57,5 mm.
Asosiy joylashuvning asosiy qirrasi va ikkilamchi joylashishning ikkinchi darajali burchagi 45 daraja, silikon gofsia turi n tipdir<111>; Asosiy joylashuvning asosiy qirrasi va ikkilamchi joylashadigan burchak 90 daraja, silikon voiz turi p-turdir<100>; Asosiy joylashuvning asosiy qirrasi va ikkilamchi joylashishning ikkinchi darajali burchak 180 daraja, silikon voiz turi n tipdir<100>. Chunki<110>Kristal yo'nalishi asosiy kremniy emas, balki kristalli tog 'yo'nalishi, uni ifodalash uchun standart yo'q. Bu<110>Kristal tomonga yo'naltirilgan premikani premorkoni etkazib beruvchining standartlari bo'yicha taqdim etish mumkin.
Kristall yo'nalishi yarimo'tkazgich texnologiyasiga ta'siri
(100) billur tekisligida kremndon atomlari - bu kristalli tekislikda, kremniy atomlarini tashkil etish - bu olti burchakli. (111) kristalli samolyotda kremniy atomlari ko'proq ixcham bo'lsa, ularning kimyoviy reaktivligi nisbatan past, (100) billur samolyoti esa qarama-qarshi va yuqori kimyoviy reaktivlik.
Shuning uchun (100) kristalli tekislikdagi kremniy (111) kristalli tekislikdagi kremniydan tezroq va kristalli tekislikning oksidlanish darajasi (111) kristalli tekislikdan past bo'ladi.
Yarimo'tkazgichli jarayonlarda kremniy gofretlarining doping konsentratsiyasining ta'siri
Etchlash jarayonida dopantlar kremniy o'tkazuvchanligini oshiradi, uni elektrokimyoviy qatlamga ko'proq moyil qiladi. Turli xil doping kontsentratsiyasi turli xil qatllangan stavkalarga olib keladi va juda tez suprangon odatda tezroq bo'ladi.
Dispuziya jarayonida kremniyning doping konsentratsiyasi, shuningdek, kremniydagi difantning difantik stavkasiga ham ta'sir qiladi. Yuqori dovukli kremniy difantni chuqur tarqalishiga olib keladi.
