Izolyatorda (SOI) kremniydan tayyorlangan gofretlar uchta asosiy usul yordamida ishlab chiqariladi: epitaksial qatlamni o'tkazish, bog'langan SOI va izolyatorda kremniy. Har bir texnikaning o'ziga xos afzalliklari va afzalliklari bor.
Birinchidan, kremniy qatlamini izolyator ustidagi kremniy texnikasidan foydalangan holda izolyatsion qatlamning, masalan, silikon dioksidining ustiga yaratish mumkin. Ushbu usul bilan yuqori kremniy qatlami va pastki qatlam ion implantatsiyasi orqali yaratilgan ko'milgan oksid qatlami bilan ajratiladi. Bu usul, ayniqsa, ajoyib issiqlik o'tkazuvchanligi va bir hil qatlamlari bo'lgan gofretlarni ishlab chiqarish uchun yaxshi ishlaydi.
Ikkinchidan, yuqori sifatli kremniyning yupqa qatlami bog'langan SOI jarayoni yordamida izolyator substratiga yopishtiriladi. Bu ion implantatsiyasi yoki epitaksial o'sish orqali yaratilganidan keyin substratga nozik bir kremniy qatlamini biriktirish orqali amalga oshiriladi. Bu jarayon yuqori darajada integral mikrosxemalar yaratish imkonini beradi va ma'lum qalinlikdagi gofretlarni ishlab chiqarish uchun juda mos keladi.
Va nihoyat, SOI gofretlarini ishlab chiqarishning yana bir usuli epitaksial qatlamni o'tkazishdir. Epitaksial o'sish usullaridan foydalangan holda, bu jarayonda donor substratida nozik bir kremniy qatlami hosil bo'ladi. Keyinchalik, bu qatlam kimyoviy mexanik polishing va gofret bilan bog'lash orqali izolyatsion substratga yopishtiriladi. Ajoyib elektr xususiyatlariga ega bo'lgan yuqori sifatli SOI gofreti yakuniy mahsulotdir.
